




直流等离子体化学气相沉积(dc-pcvd)
dc-pcvd是利用高压直流负偏压(-1~-5kv),使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体,等离子体在电场作用下轰击工件,并在工件表面沉积成膜。
直流等离子体比较简单,汽车配件真空镀膜设备,工件处于阴极电位,受其外形、大小的影响,使电场分布不均匀,在阴极四周压降,电场强度,正由于有这一特点,所以化学反应也集中在阴极工件表面,加强了沉积效率,避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积,并会造成积累放电,破坏正常的反应。
在今天,讨论化学气相沉积与物理气相沉积的不同点,恐怕只剩下用于镀膜物料形态的区别,前者是利用易挥发性化合物或气态物质,真空镀膜设备,而后者则利用固相(或液相)物质。这种区分似乎已失去原来定义的内涵实质。
我们仍然按照已有的习惯,主要以上述镀料形态的区别来区分化学气相沉积和物理气相沉积,把固态(液态)镀料通过高温蒸发、溅射、电子束、等离子体、离子束、激光束、电弧等能量形式产生气相原子、分子、离子(气态,等离子态)进行输运,在固态表面上沉积凝聚(包括与其他反应气相物质进行化学反应生成反应产物),生成固相薄膜的过程称为物理气相沉积。
真空镀膜设备
以下是制备的---条件:
在沉积温度下,反应物具有足够的蒸气压,真空镀膜设备,并能以适当的速度被引入反应室;
反应产物除了形成固态薄膜物质外,都必须是挥发性的;
沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。
cvd技术是作为涂层的手段而开发的,但不只应用于耐热物质的涂·层,而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等,是一个颇具特征的技术领域,其工艺成本具体而定。
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