金属配件真空镀膜设备-真空镀膜设备-拉奇纳米

（1）化学气相沉积（cvd）反应温度一般在900~1200℃，中温cvd例如mocvd（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

“辅助”cvd的工艺较多，主要有：

电子辅助cvd（eacvd）（也称为电子束辅助cvd，电子增强cvd，或电子束---cvd），涂层的形成在电子作用下得到改进。

激光辅助cvd（lacvd)，也称为激光cvd或光子辅助cvd，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。

热丝cvd，金属配件真空镀膜设备，也称为热cvd，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。

金属有机化合物cvd（mocvd），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。

物理气相沉积是真空条件下采用物理方法把欲涂覆物质沉积在工件表面上形成膜的过程，通常称为pvd法。在进行pvd处理时，工件的加热温度一般都在600℃以下，led真空镀膜设备，这对于用高速钢、合金模具加工钢及其他钢材制造的模具加工都具有重要意义。目前，常用的有三种物理气相沉积方法，即真空蒸镀、溅射镀膜和离子镀，其中，离子镀在模具加工制造中的应用较广。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。