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真空镀膜设备

以下是制备的---条件：

 在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室；

反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的；

沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。

cvd技术是作为涂层的手段而开发的，但不只应用于耐热物质的涂·层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域，塑料真空镀膜设备，其工艺成本具体而定。

由于粒子间的碰撞，产生剧烈的气体电离，使反应气体受到活化。同时发生阴极溅射效应，为沉积薄膜提供了清洁的活性高的表面。因而整个沉积过程与仅有热的过程有明显不同。这两方面的作用，在进步涂层结协力，降低沉积温度，加快反应速度诸方面都创造了有利条件。

等离子体化学气相沉积技术按等离子体能量源方式划分，有直流辉光放电、射频放电和微波等离子体放电等。随着频率的增加，等离子体强化cvd过程的作用越明显，形成化合物的温度越低。