（1）化学气相沉积（cvd）反应温度一般在900~1200℃，中温cvd例如mocvd（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，镀膜设备，还可把反应温度降低。
“辅助”cvd的工艺较多，主要有：
电子辅助cvd（eacvd）（也称为电子束辅助cvd，电子增强cvd，镀膜设备价格，或电子束---cvd），涂层的形成在电子作用下得到改进。
激光辅助cvd（lacvd)，也称为激光cvd或光子辅助cvd，塑胶镀膜设备，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。
热丝cvd，也称为热cvd，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。
金属有机化合物cvd（mocvd），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。
在真空度较高的环境下，通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料以原子、分子或离子的形式逸出沉积物粒子，并且逸出的粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。.pvd大家族里主要有三位成员：真空蒸发沉积技术（蒸镀）；溅射沉积技术；离化pvd技术。
蒸镀是在真空环境下，以各种加热方式赋予待蒸发源材料以热量，使源材料物质获得所需的蒸汽压而实现蒸发，所发射的气相蒸发物质在具有适当温度的基片上不断沉积而形成薄膜的沉积技术。
1、真空镀膜工艺在信息存储范畴中的运用薄膜资料作为信息记载于存储介质，有其得天独厚的优势：因为薄膜很薄能够疏忽涡流损耗；磁化回转---敏捷；与膜面平行的双稳态状况简单保持等。为了更精细地记载与存储信息，必定要选用镀膜技能。
2、真空镀膜工艺在传感器方面的运用在传感器中，多选用那些电气性质相关于物理量、化学量及其变化来说，---敏感的半导体资料。此外，其中大多数运用的是半导体的外表、界面的性质，需求尽量增大其面积，且能工业化、低报价制造、因而选用薄膜的状况许多。
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