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金属箔(尤其是铜箔)上的化学气相沉积(cvd)是目前制备大面积高石墨烯薄膜具发展前景的方法生长在铜箔上的石墨烯薄膜中为什么会出现“adlayers”，发现薄膜中的碳杂质直接导致adlayers的成核和生长。通过使用飞行时间二次离子质谱和燃烧分析，发现商业铜箔有‘过量的碳’，尤其是在表面附近，led真空镀膜设备，---约为300纳米。

离化pvd技术通过将成膜材料高度电离化形成膜材料离子，从而增加膜材料离子的沉积动能，并使之在高化学活性状态下沉积薄膜的技术，包括离子镀、离子束沉积和离子束辅助沉积三类。

离化pvd过程大多是蒸发/溅射（气相物质激发）与等离子体离化过程（赋能、）的交叉结合。

蒸发镀膜是依靠源材料的晶格振动能克服逸出功，从而形成沉积粒子的热发射，金属配件真空镀膜设备，即：外加能量（电阻/电子束/激光/电弧/射频）赋予材料较高的晶格振动能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而溅射是依靠高能离子输入动能，借助源材料中粒子间的弹性碰撞，致使更高动能粒子逸出。离化pvd 是以其它手段激发沉积物质粒子，然后使之与高度电离的等离子体交互作用（类似 pecvd），促使沉积粒子离化，使之既可被电场加速而获得更高动能，同时在低温状态下具有高化学活性。