若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全---零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积tin或tic时，硅胶真空镀膜设备，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体为高速钢，可选择560℃，显示屏真空镀膜设备，这样，真空镀膜设备，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，真空镀膜设备，无需---基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的tic或tin涂层，一般只需要几十分钟。
蒸镀中关键的两个参数是真空度（≤10-3pa）和相对蒸发源的基片距离（10~50cm）。蒸镀过程中，膜层粒子与真空室中的气体的碰撞是应该避免的，因此，相对蒸发源的基片距离应大于工作状态下真空室内气体分子的平均自由程。
溅射镀膜过程为：气体放电***等离子体***带电离子***电场作用***离子加速***高能离子***撞击靶材***溅射***发射靶材原子***飞向基板***形成沉积***获得薄膜。
离化pvd技术通过将成膜材料高度电离化形成膜材料离子，从而增加膜材料离子的沉积动能，并使之在高化学活性状态下沉积薄膜的技术，包括离子镀、离子束沉积和离子束辅助沉积三类。
离化pvd过程大多是蒸发/溅射（气相物质激发）与等离子体离化过程（赋能、）的交叉结合。
蒸发镀膜是依靠源材料的晶格振动能克服逸出功，从而形成沉积粒子的热发射，即：外加能量（电阻/电子束/激光/电弧/射频）赋予材料较高的晶格振动能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而溅射是依靠高能离子输入动能，借助源材料中粒子间的弹性碰撞，致使更高动能粒子逸出。离化pvd 是以其它手段激发沉积物质粒子，然后使之与高度电离的等离子体交互作用（类似 pecvd），促使沉积粒子离化，使之既可被电场加速而获得更高动能，同时在低温状态下具有高化学活性。
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