真空镀膜设备-真空镀膜设备-东莞拉奇纳米镀膜

（1）化学气相沉积（cvd）反应温度一般在900~1200℃，中温cvd例如mocvd（金属有机化合物化学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

“辅助”cvd的工艺较多，主要有：

电子辅助cvd（eacvd）（也称为电子束辅助cvd，电子增强cvd，或电子束---cvd），涂层的形成在电子作用下得到改进。

激光辅助cvd（lacvd)，也称为激光cvd或光子辅助cvd，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。

热丝cvd，也称为热cvd，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。

金属有机化合物cvd（mocvd），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。

在过去的几十年中，考虑到计算机数控（cnc）加工工艺的---发展，pvd沉积技术的发展基本上集中在工具的涂层上，因为已经出现了新的加工方法。

pvd技术是一种薄膜沉积工艺，其中涂层在原子上逐个原子生长。pvd需要从通常称为目标的固体源中雾化或汽化材料。薄膜通常具有与几个微米的薄膜一样薄的厚度，该厚度与某些原子层一样薄。该过程导致表面和基板与沉积材料之间的过渡区的特性改变。另一方面，膜的性质也可受基材的性质影响。