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物理气相沉积（pvd）工艺已经有100多年的历史了，等离子辅助pvd大约在80年前就申请了---。术语“物理气相沉积”仅在60年代出现。当时，需要通过发展众所周知的技术来发展真空镀膜工艺，例如溅射，真空，等离子体技术，磁场，气体化学，热蒸发，手机镀膜设备，弓形和电源控制，如powell的书中详细描述的。在过去的30年中，等离子辅助pvd（papvd）被分为几种不同的电源技术，例如直流（dc）二极管，三极管，射频（rf），真空镀膜设备厂家，脉冲等离子体，离子束辅助涂层等。，该过程在基本理解上存在一些困难，因此引入了---的更改以提供好处，例如从涂层到基材的---附着力，结构控制以及低温下的材料沉积。

cvd法具有如下特点：可在---或低于---压下进行沉积金属、合金、陶瓷和化合物涂层，能在形状复杂的基体上或颗粒材料上沉积涂层。涂层的化学成分和结构较易准确控制，也可制备具有成分梯度的涂层。

涂层与基体的结合力高，设备简单操作方便，台湾镀膜设备，但它的处理温度一般为900-1200℃，工件被加热到如此高的温度会产生以下问题：

（1）工件易变形，心部组织恶化，性能下降。

（2）有脱碳现象，晶粒长大，残留奥氏体增多。

（3）形成ε相和复合碳化物。

（4）处理后的母材必须进行淬火和回火。

（5）不适用于低熔点的金属材料。